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IEEE Symposium 공식 트위터에 올라온겁니다.
삼성 파운드리의 3나노 2세대 공정인 SF3(3GAP)는 SF4(4LPP) 대비 성능은 22% 개선되었고 전력은 34% 덜 먹으며 면적은 21% 감소했습니다. 4LPP는 FinFET이며 3GAP는 MBCFET입니다. GAA(Gate-All-Around)구조는 Wire 형태와 Sheet형태 두 종류가 있는데 Sheet 형태를 MBC(Multi-Bridge-Channel)FET이라고 부릅니다.
4LPP 공정으로 생산되는건 구글 픽셀 8, 픽셀 8 프로에 탑재되는 텐서 G3가 있으며 3GAP의 첫 양산품은 워치7에 들어갈 AP라는 루머가 있습니다.
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