지난번 大米评测의 엑시노스 2600 전성비 측정 결과에 이어, 오늘은 중국의 유명 IT 리뷰어 Geekerwan이 공개한 측정 결과를 바탕으로 전성비와 게이밍 성능을 정리해 드리겠습니다.
Geekerwan의 리뷰는 저부하부터 고부하 구간까지 측정한 데이터를 포함하고 있습니다. 측정에 사용된 기기는 갤럭시 S26 기본 모델입니다.
■ 엑시노스 2600 HPB 및 다이 구조
가장 눈에 띄는 부분은 이번 엑시노스 2600에 새롭게 적용된 HPB(Heat Path Block)의 실제 모습입니다. 기판을 살펴보면 'E9965'라고 마킹된 은색 부품이 바로 HPB이며, 그 측면에 DRAM이, 그리고 이들 하단에 엑시노스 2600 AP가 자리 잡고 있습니다.
또한, 그 아래쪽에는 5G 모뎀인 'SHANNON 5410'이 위치합니다. 삼성은 엑시노스 990 이후 6년 만에 내장 모뎀 방식을 버리고 외장 모뎀을 채택했습니다.
CT 스캔 이미지를 보면 구조가 더 명확합니다. 발열이 집중되는 CPU와 GPU 코어 위로 HPB가 덮여 있어 쿨링 효율을 높이는 구조입니다.
■ 파운드리 3사 공정 비교 (인텔 18A vs 삼성 SF2 vs TSMC N3P)
공정 이름만 보면 인텔(1.8nm), 삼성(2nm), TSMC(3nm) 순으로 인텔이 가장 앞서는 것처럼 보입니다. 하지만 실제 물리적 스펙은 다릅니다.
- 셀 라이브러리 높이: TSMC가 가장 낮고, 그 다음이 삼성, 인텔이 가장 높습니다.
- 게이트 피치: 인텔과 삼성이 유사한 수준이며, TSMC가 가장 조밀합니다.
- 트랜지스터 밀도: TSMC가 가장 우수하고, 삼성, 인텔 순입니다.
결론적으로 마케팅 넘버링과 달리 실제 공정 밀도와 미세화 수준은 여전히 TSMC가 가장 앞서고 있습니다.
■ 거대해진 다이(Die) 사이즈와 아쉬운 효율
엑시노스 2600의 다이 사이즈는 141.5㎟로 동세대 경쟁 AP들보다 눈에 띄게 큽니다.
같은 외장 모뎀 방식을 쓰는 애플 A19 Pro보다도 무려 43%나 더 큰 면적을 차지합니다. 외장 모뎀 칩 크기까지 합치면 총 176㎟에 달합니다.
다이샷을 보면 SLC, NPU, GPU가 차지하는 면적이 상당합니다. 大米评测는 SLC 캐시가 16MB라고 했으나 이는 L3 캐시고 24MB가 맞는걸로 보입니다. L3, SLC 모두 타 AP 대비 큰 용량입니다.
또한, GPU 면적은 스냅드래곤 8 Elite Gen 5 대비 무려 46%나 거대합니다. AMD RDNA4 기반으로 설계되었으나 모바일 한계상 BF16, FP8 연산과 FSR4 업스케일링은 빠졌습니다. 이때문에 FSR 대신 자체 기술인 ENSS을 넣었을 가능성이 있습니다.
규모 자체는 1CU당 224SP를 때려 박아 기존 대비 3.5배를 늘렸고, 부동소수점 성능도 7TFLOPs에 달합니다. 하지만 메모리 대역폭과 L2 캐시의 한계로 성능을 100% 다 뽑아내지는 못하는 실정입니다.
NPU 역시 타사 플래그십 칩들보다 더 큰 면적을 차지하고 있습니다.
■ CPU 및 GPU 전성비 벤치마크
SPEC2017을 통한 빅코어 전성비 테스트 결과, 정수(INT) 연산에서는 전 구간 스냅드래곤에게 밀렸으며, 고클럭 구간에서만 디멘시티 9500을 소폭 앞섰습니다.
부동소수점(FP) 연산에서는 스냅드래곤과 디멘시티 모두에게 열세를 보였습니다.
반면 긱벤치6 멀티코어 전성비에서는 약 14W 이하의 저전력 구간에서 스냅드래곤 8 Elite Gen 5를 능가했고, 디멘시티 9500 대비해서는 전 구간에서 우위를 보였습니다. 이는 엑시노스 2600이 타사보다 2개 더 많은 10코어 구조를 채택했기 때문으로 분석됩니다.
GPU 성능을 대변하는 3D마크 Steel Nomad Light 전성비 결과는 디멘시티 9500과 스냅드래곤 8 Elite Gen 5 사이에 위치했습니다. 앞서 언급한 GPU 다이 면적을 고려하면 다소 아쉬운 효율입니다.
■ 실사용 게이밍 성능 테스트
실제 사용 환경과 직결되는 게이밍 테스트입니다. 비교군은 모두 갤럭시 라인업(S26 엑시노스, S26 스냅드래곤, S25 스냅드래곤, S24+ 스냅드래곤)으로 통일했습니다.
원신 (1920x886, 300니트, Wi-Fi, 30분 플레이)
엑시노스 2600은 S24+에 탑재된 스냅드래곤 8 Gen 3보다는 나은 모습을 보였으나, 바로 전 세대인 스냅드래곤 8 Elite 대비 평균/하위 1% 프레임이 모두 낮고 전력 소모는 더 컸습니다. 특히 17분 이후부터 눈에 띄는 스로틀링(프레임 저하)이 발생했습니다.
| AP 모델 | 평균 FPS | 하위 1% FPS | 소모 전력(W) | 최고 온도(℃) |
| 엑시노스 2600 | 59.4 | 31.5 | 5.2 | 45.3 |
| 스냅 8 Elite Gen 5 | 59.9 | 52.7 | 4.5 | 43.7 |
| 스냅 8 Elite | 59.9 | 50.8 | 4.9 | 46.0 |
| 스냅 8 Gen 3 | 57.9 | 29.1 | 5.9 | 46.4 |
아래는 30분 중 앞 15분만 측정한 수치입니다.
| AP 모델 | 엑시노스 2600 | 스냅 8 Elite Gen 5 | 스냅 8 Elite | 스냅 8 Gen 3 |
| 소모 전력(W) | 5.3 | 4.4 | 4.7 | 6.0 |
Geekerwan은 스케줄링의 문제점도 지적했습니다. 엑시노스의 고성능 리틀코어 3개 중 1개는 거의 쉬고 있고, 나머지 2개 코어가 스냅드래곤 대비 비정상적으로 높은 클럭으로 작동하며 전력을 낭비하는 현상이 발견되었습니다.
엔드필드 (2245x1036 해상도, 300니트, Wi-Fi, 30분 플레이)
소모 전력과 온도 모두 테스트 기기 중 가장 낮게 측정되었으나, 그 반대급부로 프레임 역시 가장 낮았습니다. 심지어 전전 세대 AP인 스냅드래곤 8 Gen 3보다도 낮은 수치를 기록했습니다.
테스트 초기 2분간은 빅코어가 고클럭으로 작동하며 60프레임을 방어하는 듯 보였으나, 이 구간에서 전력을 10W 이상 소모하며 스로틀링(Throttling)이 발생했습니다.
| AP 모델 | 평균 FPS | 하위 1% FPS | 소모 전력(W) | 최고 온도(℃) |
| 엑시노스 2600 | 35.2 | 16.7 | 5.4 | 44.3 |
| 스냅 8 Elite Gen 5 | 48.1 | 26.9 | 5.8 | 45.2 |
| 스냅 8 Elite | 48.6 | 27.8 | 6.4 | 47.6 |
| 스냅 8 Gen 3 | 36.4 | 18.3 | 6.4 | 45.3 |
명조: 웨더링 웨이브 (1872x864, 300니트, Wi-Fi, 30분 플레이)
엔드필드처럼 엑시노스는 온도와 전력 소모가 가장 낮았으나, 그 대가로 프레임이 최하위를 기록했습니다.
| AP 모델 | 평균 FPS | 하위 1% FPS | 소모 전력(W) | 최고 온도(℃) |
| 엑시노스 2600 | 43.3 | 13.5 | 5.0 | 44.4 |
| 스냅 8 Elite Gen 5 | 57.4 | 23.7 | 5.9 | 49.4 |
| 스냅 8 Elite | 50.5 | 22.3 | 5.0 | 47.0 |
| 스냅 8 Gen 3 | 45.6 | 17.4 | 6.4 | 46.7 |
■ 배터리 타임과 외장 모뎀의 딜레마
가장 충격적인 것은 배터리 타임입니다. S26 엑시노스 모델(6시간 45분)은 S26 스냅드래곤 모델(7시간 45분)보다 배터리가 1시간(약 15%)이나 빨리 닳았습니다.
전작인 S25와 비교하면 고작 4분 더 오래 지속되었는데, S26의 물리적 배터리 용량이 300mAh 더 늘어난 것을 감안하면 실질적인 전력 효율은 오히려 S25보다 퇴보한 셈입니다.
CPU와 GPU의 전성비 벤치마크 자체는 전작보다 개선되었는데 ]Geekerwan은 '외장 모뎀'을 주원인으로 지목했습니다.
AP 본체는 2nm 기반(SF2)이지만, 외장으로 따로 빠진 5G 모뎀 칩(Shannon 5140)이 보드 공간을 차지하고 4nm 3세대(SF4P) 공정으로 제조되어 전력 효율을 갉아먹고 있다는 추정입니다.
■ 요약 및 향후 전망
결론적으로 엑시노스 2600은 타사 대비 엄청난 양의 캐시(SLC)를 탑재하고, 6년 만에 모뎀을 외장으로 빼면서까지 다이 면적을 키우는 등 나름의 승부수를 던졌습니다. 하지만 이전작들처럼 실제 게이밍 프레임과 배터리 타임에서 전작(스냅드래곤)을 넘어서지 못하는 한계를 보여주었습니다.
업계에 따르면 차기작인 '엑시노스 2700'은 높은 패키징 원가를 낮추기 위해 기존 FOWLP 패키징을 버리고 AP와 DRAM을 나란히 배치하고 그위에 HPB를 얹는 '사이드바이사이드(SBS)' 방식을 새롭게 도입할 예정이라고 합니다.
또한, 이번 엑시노스 2600에 쓰인 삼성의 2nm 공정(SF2)은 사실상 3nm 공정(SF3P)의 네이밍 변경이었던 반면, 엑시노스 2700은 원래 로드맵상 2nm 1세대 공정인 SF2P으로 생산될 계획입니다.
올해 말 공개될 애플의 A20 Pro와 스냅드래곤 8 Elite Gen 6 Pro가 TSMC 2nm 공정으로 생산되기에 2나노 공정간 비교를 볼 수 있겠습니다.
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